Product Center

產(chǎn)品中心

當前位置：首頁(yè)  >  產(chǎn)品中心  >  顯微鏡  >  微光顯微鏡  >  HOTMOS-1000半導體微量光子檢測顯微鏡

半導體微量光子檢測顯微鏡

簡(jiǎn)要描述：半導體微量光子檢測顯微鏡
微光顯微鏡是捕獲半導體器件缺陷或失效點(diǎn)發(fā)射
微量光子的一種無(wú)損檢測設備。在電激勵作用下，電
子-空穴對或高能熱載子以光子的形式釋放出多余動(dòng)
能。根據此原理，利用高增益低噪聲的相機就能精確
定位到缺陷位置。EMMI系統C主要適用于PN結漏電、氧化層崩潰、
靜電放電破壞、閂鎖效應、碰撞電離和雪崩擊穿等多
種物理場(chǎng)景。

  • 產(chǎn)品型號：HOTMOS-1000
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間：2024-06-11
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量：2528

詳細介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類(lèi)別進(jìn)口
應用領(lǐng)域醫療衛生,化工,能源,電子,航天

半導體微量光子檢測顯微鏡

半導體微量光子檢測顯微鏡


產(chǎn)品特征參數


軟件圖像處理功能

 

8寸高壓手動(dòng)氣浮探針臺



 

紫外、可見(jiàn)光、紅外顯微光學(xué)系統

2倍、5倍、10倍、20倍與50倍紅外物鏡

400 -1000 nm 或900-1700 nm響應波長(cháng)

支持3000 V高壓偏置

相機與源表的一體化控制程序

 

應用方向

GaN與SiC 基功率器件

的漏電“熱點(diǎn)"定位

GaN基LEDs與結型探測

器的漏電“熱點(diǎn)"定位

Si基MOSFET與IGBT等功

率器件的漏電失效“熱

點(diǎn)"定位

GaAs基激光器光分布與

漏電“熱點(diǎn)"定位

常規的器件的靜態(tài)電學(xué)

參數測試。

相關(guān)系列有關(guān)于芯片失效與缺陷檢測都可以聯(lián)系我司，可看樣機測試









產(chǎn)品咨詢(xún)

留言框

  • 產(chǎn)品：

  • 您的單位：

  • 您的姓名：

  • 聯(lián)系電話(huà)：

  • 常用郵箱：

  • 省份：

  • 詳細地址：

  • 補充說(shuō)明：

  • 驗證碼：

    請輸入計算結果（填寫(xiě)阿拉伯數字），如：三加四=7

13764885152
歡迎您的咨詢(xún)
我們將竭盡全力為您用心服務(wù)
關(guān)注微信
版權所有 © 2024 上海謹通儀器儀表有限公司  備案號：滬ICP備20007649號-1